فناوری اچینگ
میدان مغناطیسی ویژه طراحی شده که سیستم نمونه را به طور یکنواخت احاطه کرده است
همگنی عالی حکاکی
پراش خوب
قدرت حکاکی قابل تنظیم
ماژولهای اچشده نیازی به تعمیر و نگهداری ندارند
آبکاری یون قوسی (AIP)
نرخ یونیزاسیون بالا
چگالی بالا
نرخ رسوب بالا
بسیاری از ریزذرات
سطح ناهموار
کاتد یکپارچه G4
نرخ یونیزاسیون بالا
چگالی بالا
نرخ رسوب بالا
سطح صاف، بدون ذرات ریز
تنش پسماند کم
کندوپاش مگنترون (MS)
سطح صاف، بدون ذرات ریز
تنش پسماند کم
نرخ رسوب پایین
نرخ یونیزاسیون پایین
فناوری پوششدهی PECVD
رسوب بخار شیمیایی با پلاسما (PECVD) فرآیندی است که پوششهای آلیاژ سخت الماس آمورف بسیار صاف و چسبنده را در محیطی با خلاء بالا رسوب میدهد. در مقایسه با فرآیندهای PVD، فرآیندهای PECVD از منابع تغذیه آبکاری عمیق استفاده میکنند، نیازی به اهداف کاتدی ندارند و قطعه کار نیازی به چرخش در محفظه کوره ندارد. این فرآیند، یک فرآیند پوششدهی تمیز، بدون آلودگی، قابل اعتماد و چند منظوره است.
● سختافزار ساده، بدون نیاز به منبع یونیزاسیون اضافی
● طراحی میدان مغناطیسی مرکب، افزایش نرخ یونیزاسیون
● سرعت رسوب بالا > 1μm/h
● دمای رسوب پایین
● سطح صاف، بدون آلودگی ریز ذرات بزرگ
● محصولات پاککننده پلاسما، بدون نیاز به تعمیر و نگهداری
شبیهسازی میدان مغناطیسی بسته غیرتعادلی
پلاسمای با چگالی بالا
محصولات پاک کننده پلاسما
PECVD (برای aC:H)
بر اساس الزامات مقاومت در برابر سایش، روانکاری، مقاومت در برابر خوردگی و استحکام اتصال بالای قطعات، پوشش DLC از نظر ساختاری بر اساس مفهوم ساختار چند لایه، گذار گرادیانی و کامپوزیت سطح مشترک طراحی شده است.
ساختار پوشش DLC
ضخامت 2-4μm (بستگی به نیازهای مختلف دارد)