پیشرفت پوشش

سیستم نمونه را در محفظه پوشش قرار دهید.

هنگام رسوب‌دهی پوشش‌های PVD، خلاء بالا مورد نیاز است. سیستم پوشش‌دهی Huasheng در دو مرحله انجام می‌شود: ابتدا، پمپ مکانیکی فشار محفظه خلاء را از 1000 میلی‌بار به 10-1 میلی‌بار کاهش می‌دهد؛ سپس، پمپ توربو مولکولی خلاء بالایی در حدود 1X10-6 متر بار ایجاد می‌کند.

محفظه را تا حدود ۵۰۰ درجه سانتیگراد گرم کنید، که دمای فرآیند مرسوم است.

سیستم پوشش‌دهی هواشنگ از سه فناوری مختلف برای فرآیند اچینگ استفاده می‌کند: HUASHENG® (تخلیه تابشی جانبی)؛ اچینگ پلاسمای آرگون، تخلیه تابشی؛ اچینگ یون فلزی (Ti+، Cr+).

رسوب پوشش با استفاده از PVD (آبکاری یون قوسی، کندوپاش مگنترون یا فناوری کاتد یکپارچه HUASHENG®) حاصل می‌شود.

محفظه پوشش را خنک کنید.

سیستم نمونه را از محفظه پوشش‌دهی تخلیه کنید.